シリコンウエハ表面に絶縁膜となる酸化膜を形成する装置です。
基板を高温条件下で酸素や水蒸気にさらすことにより、化学反応を利用してシリコン表面を酸化物へと変化させます。
一般的な工業製品の熱処理が「材料の硬化や乾燥」を主目的とするのに対し、半導体用の装置は「原子レベルでの化学反応の制御」を目的とします。
極めて高い清浄度（クリーン対応）と、ウエハ全体に対する均一な温度管理が求められます。