3.成膜│株式会社カイジョー

半導体製造プロセス＜前工程＞
成膜

3.成膜 (Deposition/CVD/PVD)：導電膜や絶縁膜を積層
CVD（化学気相成長）やPVD（物理気相成長）といった技術を用い、ウエハ上に導電膜や絶縁膜を精密に積み上げます。
多層構造を作るための基礎工程です。

半導体製造＜前工程＞の＜成膜＞工程で、一般的に用いられている装置には、3つの方式があり、それぞれ異なる特性を持っています。
1. 蒸着方式（CVD等）
2. スパッタ方式（PVD）
3. 熱酸化方式

真空中で材料を気化させ、基板表面に堆積させる装置です。
特徴:化学反応を利用する化学気相成長(CVD）が主流。微細な構造に対しても均一な膜厚を形成。
メリット: 複雑な立体形状への被膜（被覆性）に優れ、原子レベルでの膜質制御が可能。

※上記のイラストはAIで生成した装置イメージです。実際の装置とは異なります。

・

高エネルギーの粒子を材料（ターゲット）にぶつけ、弾き飛ばされた粒子を付着させる装置です。
特徴: 配線となる金属膜（アルミニウムや銅）の形成に必須。高融点材料にも対応。
メリット: 基板との密着性が極めて高く、合金など組成を維持したままの成膜に安定性がある。

※上記のイラストはAIで生成した装置イメージです。実際の装置とは異なります。

・

スクリプト埋め込みブロック
※スクリプトは編集画面では表示されません。

シリコン基板などを高温環境に置き、酸素と反応させて表面に酸化膜を成長させる装置です。
特徴:シリコンウエハ自体を酸化させ、極めて高品質な絶縁膜を形成。
メリット: 外部から材料を付着させる方式に比べ、膜の緻密さと電気的絶縁性が非常に高い。

※上記のイラストはAIで生成した装置イメージです。実際の装置とは異なります。

・