電極形成工程で使用される装置には、成膜原理の異なるPVD、CVD、ECDの3種類があります。
PVD（物理気相成長）装置
物理的エネルギー（衝突や熱）を用いて材料を蒸発・飛散させ、基板上に堆積させる手法です。高真空環境下での物理的堆積により、比較的低温での処理が可能です。合金を含む多様な材料に対応しており、基板への熱影響を抑えながら成膜できる利点があります。

CVD（化学気相成長）装置
ガス状の原料を化学反応させ、基板表面に固体を析出させる手法です。化学反応を伴うため、複雑な形状に対する「段差被覆性（カバレッジ）」に優れています。構造が複雑な立体表面に対しても、隙間のない均一な電極形成が可能です。
ECD（電解メッキ／電解質堆積）装置
電解液中での電気化学反応を利用して、金属膜を析出させる手法です。溶液中で膜を成長させるため、特定の溝を選択的に埋める高い制御能力を持ちます。微細な接続孔（ビアやトレンチ）の埋め込みにおいて、ボイド（空隙）のない高品質な配線形成を実現します。