9.イオン注入
半導体製造プロセス<前工程>のイオン注入
9.イオン注入 (Ion Implantation):電気的性質を付与
シリコンの結晶構造内に不純物イオンを加速して打ち込みます。
これにより、シリコンに「導電性」を持たせ、半導体としての特性を付与します。
<イオン注入工程>で使用される装置
イオン注入装置
イオン注入装置は用途に応じて主に3つの装置に分類されます。
1. 高電流イオン注入装置ソース・ドレイン形成など、高濃度の不純物注入(高ドーズ)に特化した装置です。低加速電圧を維持しつつ、ビーム電流を最大化します。
2. 中電流イオン注入装置しきい値電圧(Vth)制御やチャネル形成など、微細な調整が必要な工程で用いられます。低〜中ドーズ領域における注入量の微細な制御をします。
3. 高エネルギーイオン注入装置ウェル形成やイメージセンサ製造など、ウエハ深部への注入に使用されます。高周波線形加速器により、イオンを極めて高いエネルギーまで加速します。
※上記のイラストはAIで生成した装置イメージです。実際の装置とは異なります。
・