半導体製造プロセス＜前工程＞
エッチング

7.エッチング

半導体製造プロセス＜前工程＞のエッチング

7.エッチング
7.エッチング (Etching)：ウエハ／積層膜を削る
レジストで保護されていない露出部分の膜を、ガスや液体で精密に削り取ります。
この作業によって、実際の物理的な回路形状が形成されます。

＜エッチング工程＞で使用される装置

半導体製造＜前工程＞の＜エッチング＞工程で、一般的に用いられている装置は、ドライエッチング式と、ウェットエッチング式があり、それぞれ異なる特性を持っています。

ドライエッチング (Dry Etching) 装置

ドライエッチング装置
気体（ガス）をプラズマ化させ、その化学反応や衝突エネルギーを利用して材料を削る装置です。
ナノメートル単位の極微細な回路形成に特化しており、高度な真空状態と精密なプラズマ制御が求められます。
異方性エッチング（垂直方向にのみ削る加工）が可能です。
※上記のイラストはAIで生成した装置イメージです。実際の装置とは異なります。


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ウェットエッチング (Wet Etching) 装置

ウェットエッチング装置
薬品（エッチング液）に浸す、あるいは噴霧することで材料を溶解除去する装置です。
ウエハ表面の不要な膜を全面除去する際や、洗浄を兼ねた工程で使用されます。薬品の純度管理と温度管理が極めて厳格です。
等方性エッチング（全方向に均一に削れる）が基本となっています。
※上記のイラストはAIで生成した装置イメージです。実際の装置とは異なります。


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